截至2025年11月3日 14:43，上證(zheng)科創板半(ban)導體(ti)(ti)材(cai)料設備(bei)主題(ti)指(zhi)數下(xia)跌(die)(die)1.28%。成分股方面漲(zhang)跌(die)(die)互現(xian)，新益昌領(ling)漲(zhang)7.31%，中船特氣上漲(zhang)5.17%，晶升股份(fen)上漲(zhang)4.11%；華(hua)峰(feng)測控領(ling)跌(die)(die)5.78%，拓荊(jing)科技下(xia)跌(die)(die)3.67%，中芯(xin)國際下(xia)跌(die)(die)3.66%。科創半(ban)導體(ti)(ti)ETF（588170）下(xia)跌(die)(die)1.56%，最新報價1.39元。

流(liu)動性方面，科創半導體(ti)(ti)ETF（588170）盤中(zhong)換手11.93%，成交(jiao)4.55億元(yuan)，市場交(jiao)投活躍。拉長(chang)時間(jian)看(kan)，截至10月31日，科創半導體(ti)(ti)ETF（588170）近(jin)1月日均成交(jiao)6.4億元(yuan)，領先同類。

規(gui)模方面，科(ke)創(chuang)半(ban)(ban)導(dao)體ETF（588170）近(jin)2周規(gui)模增長(chang)3.7億(yi)(yi)元，實現(xian)顯著增長(chang)。從資金凈(jing)流入(ru)方面來看，科(ke)創(chuang)半(ban)(ban)導(dao)體ETF近(jin)3天獲(huo)得連(lian)續資金凈(jing)流入(ru)，最高單日獲(huo)得1.83億(yi)(yi)元凈(jing)流入(ru)，合計“吸金”2.25億(yi)(yi)元，日均凈(jing)流入(ru)達(da)7484.53萬元。

消息面上，三星電子已率先暫停10月(yue)DDR5 DRAM合約報價，引(yin)發(fa)SK海力士和美光等(deng)其他(ta)存(cun)儲(chu)(chu)原廠跟進，將導(dao)致(zhi)供(gong)應鏈“斷(duan)糧”，恢復報價時間預計將延后至11月(yue)中旬。第四季(ji)度上游原廠僅對科技龍頭或一線(xian)云廠商提供(gong)報價，DDR5幾乎完全沒(mei)有(you)釋(shi)放(fang)產能給(gei)其他(ta)一般客戶(hu)，存(cun)儲(chu)(chu)“已完全進入(ru)賣方市(shi)場(chang)”。

TrendForce日前(qian)報告表(biao)示，第四(si)(si)季度Server DRAM合約(yue)價(jia)受惠(hui)于全(quan)球云(yun)端供應商擴充數(shu)據中心(xin)規模，漲勢轉強(qiang)，并(bing)帶動整體DRAM價(jia)格上(shang)揚。盡(jin)管第四(si)(si)季DRAM合約(yue)價(jia)尚未完整開(kai)出，供應商先前(qian)收(shou)到云(yun)廠商加單需求后(hou)，漲價(jia)意愿明顯提高。該機構表(biao)示，將第四(si)(si)季度Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jia)格預估漲幅從先前(qian)的8%-13%上(shang)調至(zhi)18%-23%，并(bing)且“很有可能(neng)再度上(shang)調”。

相(xiang)關(guan)ETF：公(gong)開信(xin)息顯示(shi)， 科(ke)創(chuang)半導體(ti)ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科(ke)創(chuang)板(ban)半導體(ti)材料設(she)備主(zhu)題指(zhi)數(shu)，囊括科(ke)創(chuang)板(ban)中 半導體(ti)設(she)備（61%）和半導體(ti)材料（23%）細分領(ling)域的硬科(ke)技(ji)公(gong)司(si)。 半導體(ti)設(she)備和材料行業是(shi)重要的國(guo)(guo)產(chan)替代領(ling)域，具(ju)備國(guo)(guo)產(chan)化率較低、國(guo)(guo)產(chan)替代天花板(ban)較高屬性，受益(yi)于人工智(zhi)能革命(ming)下(xia)的半導體(ti)需求，擴張、科(ke)技(ji)重組并購浪潮、光刻機技(ji)術進展。

半(ban)導體(ti)材料ETF（562590）及(ji)其聯接基金（A類(lei)：020356；C類(lei)：020357），指(zhi)數中半(ban)導體(ti)設備（61%）、半(ban)導體(ti)材料（21%）占比靠前，充分聚焦半(ban)導體(ti)上游。