上海萊士 新工廠即將通過(guo)GMP認證

每經記者 王海慜

傳聞(wen)：上海(hai)萊士（002252，前收盤價26.96元）奉賢(xian)新工廠的(de)GMP認證即將通(tong)過，新產能將開始釋放(fang)。

求證(zheng)：日前，《每日經(jing)濟新聞》記者(zhe)(zhe)以(yi)投資(zi)者(zhe)(zhe)身(shen)份致電上市(shi)公司(si)，公司(si)證(zheng)券部一位工作人員向記者(zhe)(zhe)表示，目前公司(si)新廠(chang)區的GMP認(ren)證(zheng)處于國家食(shi)(shi)品(pin)藥品(pin)監(jian)督管理局的公示階段，公示期為10個工作日。如果能順利通(tong)過(guo)公示，公司(si)將獲得GMP證(zheng)書，新廠(chang)區也就可以(yi)開(kai)始生產了(le)。記者(zhe)(zhe)通(tong)過(guo)查閱國家食(shi)(shi)藥監(jian)局中(zhong)心資(zi)料，證(zheng)實了(le)此消(xiao)息。

根據此前的(de)公告，受臺風“菲特”影響(xiang)，公司(si)位于閔行經濟技(ji)術(shu)開發區的(de)老(lao)廠區遭受水災無法進(jin)行生產(chan)，預計全面(mian)停工(gong)將(jiang)長達一個半月，因(yin)此奉(feng)賢新廠區能否及時開工(gong)對(dui)公司(si)尤為重要。2009年4月，公司(si)公告決(jue)定對(dui)募集(ji)資金投資項(xiang)目的(de)實施方(fang)式和實施地點進(jin)行調整(zheng)，即(ji)通過在奉(feng)賢自購(gou)地塊建設(she)新廠區進(jin)行投資擴產(chan)。

中國北(bei)車 IGBT產(chan)品(pin)有望年底試用

每經記者 王海慜

傳聞：中(zhong)國(guo)北車（601299，收盤(pan)價(jia)5.55元）受(shou)市場(chang)關注的(de)IGBT項目進展順利(li)，有望在明(ming)年實現產品化。

求證：IGBT是(shi)世(shi)界上增(zeng)長最快的功率半導體器件，被廣泛應用在高鐵(tie)、風電(dian)、智能(neng)電(dian)網(wang)、工控(kong)等(deng)領域。據公司介(jie)紹，IGBT是(shi)動車、機車牽引傳動系統是(shi)的核心(xin)部件，類(lei)似CPU之于PC的作用。

目前(qian)，國內高壓IGBT市場被歐洲、日(ri)本少(shao)數幾(ji)家公司壟(long)斷,對進口的依賴(lai)性(xing)很大。

中國北車的(de)高壓IGBT項(xiang)目為完(wan)全自主研發，擁有從芯(xin)片設(she)計(ji)到(dao)模塊封裝到(dao)系統應用的(de)全產業鏈，產品達產后有望打破國外(wai)公司的(de)壟斷(duan)。

11月1日 （上周五），《每日經(jing)濟新聞》記者赴中國(guo)(guo)北車在浦東金(jin)橋(qiao)舉行的(de)(de)(de)機構投資(zi)者交流會(hui)進行采(cai)訪，據公(gong)司負責IGBT項目(mu)的(de)(de)(de)鄒世昌院士介紹(shao)，目(mu)前(qian)公(gong)司正加快高壓(ya)IGBT的(de)(de)(de)產品化進程。今(jin)年9月，公(gong)司IGBT/FRD芯(xin)片3300V/1200A模塊(kuai)通過(guo)了中國(guo)(guo)電器工業(ye)協會(hui)電力(li)電子(zi)分會(hui)的(de)(de)(de)科技成果鑒定。其IGBT/FRD芯(xin)片及IGBT模塊(kuai)的(de)(de)(de)靜動態特(te)性與國(guo)(guo)際知名企業(ye)相當(dang)。

公(gong)司(si)(si)方面(mian)表(biao)示，計劃最(zui)快今年(nian)年(nian)底(di)前將IGBT產品投入(ru)機車試用(yong)。預計2014年(nian)通(tong)過應(ying)用(yong)運行考核，實(shi)現(xian)小批量生產，力爭在2015年(nian)達到IGBT的(de)產品化(hua)。據公(gong)司(si)(si)介紹，到2020年(nian)國內用(yong)IGBT市場規模將接(jie)近100億元。

目前，中國北車是國內第一(yi)個能封(feng)裝6500VIGBT模塊(kuai)的企業，不過與發展較(jiao)快的封(feng)裝相比，在IGBT芯片(pian)領域的發展相對(dui)滯(zhi)后(hou)。