截至13:42，上證科創板半導體材料設備主題指數下跌1.10%。成分股漲跌互現，華海誠科領漲1.63%，中芯國際上漲1.23%，拓荊科技上漲1.01%；滬硅產業領跌4.77%，有研硅下跌4.72%，金宏氣體下跌4.24%。科創半導體ETF（588170）下跌0.95%。

消息面上，11月23日~25日，以“凝芯聚力·鏈動未來”為主題，由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院主辦，北京賽迪出版傳媒有限公司承辦的第二十二屆中國國際半導體博覽會（ICChina2025）即將舉行。

AI服務器功耗高，數據中心需要使用更高功率的供電架構。為了應對更高端的AI運算，服務器供電系統各環節的效能、功率密度需要進一步提高。SiC/GaN等第三代半導體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點，允許材料在更高的溫度和電壓下運行，降低能耗和成本。目前頭部廠商正在持續推動SiC/GaN在AI數據中心領域應用。東方證券指出，展望未來，在AI服務器及數據中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應用。

相關ETF：公開信息顯示， 科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中 半導體設備（61%）和半導體材料（23%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體材料ETF（562590）及其聯接基金（A類：020356、C類：020357），指數中半導體設備（61%）、半導體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。