每經(jing)AI快訊，以(yi)(yi)碳(tan)化硅（SiC）為(wei)(wei)代(dai)表的(de)第三(san)代(dai)半導(dao)(dao)體材料是我國(guo)制(zhi)造業轉型升級的(de)驅(qu)動因(yin)素(su)和重(zhong)(zhong)要保證。記者從(cong)中國(guo)科學院微電(dian)(dian)子(zi)研(yan)究所獲悉(xi)，我國(guo)在太空(kong)成(cheng)功驗證了(le)首款國(guo)產碳(tan)化硅（SiC）功率器件，第三(san)代(dai)半導(dao)(dao)體材料有望(wang)牽引我國(guo)航天電(dian)(dian)源升級換(huan)代(dai)。據中國(guo)科學院微電(dian)(dian)子(zi)研(yan)究所劉新宇研(yan)究員介紹，功率器件是實現電(dian)(dian)能變換(huan)和控制(zhi)的(de)核心，被譽(yu)為(wei)(wei)“電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子(zi)系統的(de)心臟”，是最(zui)為(wei)(wei)基(ji)礎、應用最(zui)為(wei)(wei)廣泛的(de)器件之一(yi)。隨著硅基(ji)功率器件的(de)性能逼近極(ji)限，以(yi)(yi)碳(tan)化硅（SiC）為(wei)(wei)代(dai)表的(de)第三(san)代(dai)半導(dao)(dao)體材料，以(yi)(yi)其獨特優勢可滿足空(kong)間電(dian)(dian)源系統高能效、小型化、輕量化需求，對新一(yi)代(dai)航天技術發展具有重(zhong)(zhong)要戰略意義。

業內專(zhuan)家認為(wei)，我(wo)國在太(tai)空(kong)(kong)成功(gong)驗證第三(san)代(dai)半導體材料制造(zao)的功(gong)率(lv)器件，標志著(zhu)在以“克”為(wei)計量的空(kong)(kong)間載荷需求下，碳化硅（SiC）功(gong)率(lv)器件有望(wang)牽引空(kong)(kong)間電源(yuan)系統(tong)的升(sheng)級換代(dai)，為(wei)未來我(wo)國在探(tan)月工(gong)程、載人(ren)登月、深空(kong)(kong)探(tan)測等領域(yu)提(ti)供新一代(dai)功(gong)率(lv)器件。 (新華社)