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日本開發在磁場下實現電阻開關效應的半導體器件

2024-04-05 12:25:56

每(mei)經AI快訊,日(ri)本(ben)一個研(yan)究團隊(dui)研(yan)制出一種(zhong)(zhong)半導體(ti)納米(mi)通道器(qi)件,給這種(zhong)(zhong)器(qi)件施(shi)加磁場能使其電阻值發(fa)生高達250倍的(de)變化。這種(zhong)(zhong)現象(xiang)未來有望用于開發(fa)新(xin)型電子元器(qi)件等。相(xiang)關(guan)論文已發(fa)表(biao)在國際學術期(qi)刊《先進材料》上。 (新(xin)華社)

責(ze)編 張喜威

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